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SPP20N65C3HKSA1

更新时间： 2024-09-15 18:27:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 611K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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SPP20N65C3HKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.68
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：690 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：650 V
最大漏极电流 (ID)：20.7 A最大漏源导通电阻：0.19 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：62.1 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPP20N65C3HKSA1 数据手册

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SPP20N65C3, SPA20N65C3  
SPI20N65C3  
Cool MOS™ Power Transistor  
Feature  
• New revolutionary high voltage technology  
V
650  
0.19  
20.7  
V
Ω
A
DS  
R
DS(on)  
I
D
• Worldwide best R  
in TO 220  
DS(on)  
PG-TO262  
PG-TO220FP PG-TO220  
• Ultra low gate charge  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv/dt rated  
• High peak current capability  
• Improved transconductance  
3
2
1
P-TO220-3-31  
Type  
Package  
PG-TO220  
PG-TO220FP SP000216362  
PG-TO262  
Ordering Code  
Q67040-S4556  
Marking  
20N65C3  
20N65C3  
20N65C3  
SPP20N65C3  
SPA20N65C3  
SPI20N65C3  
Q67040-S4560  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
SPP_I  
Unit  
SPA  
Continuous drain current  
I
A
D
1)  
T = 25 °C  
20.7  
13.1  
20.7  
C
1)  
T = 100 °C  
13.1  
62.1  
690  
C
Pulsed drain current,  
t
limited by  
T
I
D puls  
E
62.1  
690  
A
mJ  
p
jmax  
Avalanche energy, single pulse  
AS  
I =3.5A, V =50V  
D
DD  
2)  
E
Avalanche energy, repetitive  
t
limited by  
T
T
1
1
AR  
AR  
jmax  
I =7A, V =50V  
D
DD  
Avalanche current, repetitive  
t
limited by  
I
7
7
A
V
AR  
jmax  
AR  
Gate source voltage  
V
V
P
±20  
30  
208  
±20  
30  
34.5  
GS  
GS  
tot  
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
Power dissipation, T = 25°C  
W
C
Operating and storage temperature  
T
,
T
-55...+150  
°C  
j
stg  
Rev. 3.1  
Page 1  
2009-12-01  
1234567...15

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与SPP20N65C3HKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SPP20N65C3XKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
SPP21N10 ROCHESTER

获取价格

 		21A, 100V, 0.08ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
SPP21N10 INFINEON

获取价格

 		SIPMOS Power-Transistor
SPP21N50C3 INFINEON

获取价格

 		Cool MOS⑩ Power Transistor
SPP21N50C3_07 INFINEON

获取价格

 		New revolutionary high voltage technology Worldwide best RDS(on) in TO 220 Ultra low gate
SPP21N50C3_09 INFINEON

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 		Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolu
SPP21N50C3HKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SPP2301 SYNC-POWER

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