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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPP21N50C3
SPP21N50C3 PDF预览

SPP21N50C3

更新时间： 2024-11-04 22:37:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 342K
描述
Cool MOS⑩ Power Transistor

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SPP21N50C3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：1 week
风险等级：7.88Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：690 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：21 A最大漏极电流 (ID)：21 A
最大漏源导通电阻：0.19 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：208 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：63 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPP21N50C3 数据手册

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SPP21N50C3, SPB21N50C3  
SPI21N50C3, SPA21N50C3  
Final data  
Cool MOS™ Power Transistor  
V
@ T  
560  
0.19  
21  
V
Ω
A
DS  
jmax  
Feature  
R
DS(on)  
• New revolutionary high voltage technology  
I
D
• Worldwide best R in TO 220  
DS(on)  
P-TO220-3-31  
P-TO262-3-1  
P-TO263-3-2  
P-TO220-3-1  
• Ultra low gate charge  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv/dt rated  
• Ultra low effective capacitances  
• Improved transconductance  
3
2
1
P-TO220-3-31  
• P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
SPP21N50C3  
SPB21N50C3  
SPI21N50C3  
SPA21N50C3  
P-TO220-3-1 Q67040-S4565  
P-TO263-3-2 Q67040-S4566  
P-TO262-3-1 Q67040-S4564  
21N50C3  
21N50C3  
21N50C3  
21N50C3  
P-TO220-3-31  
Q67040-S4585  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
SPP_B  
SPP_B_I  
Unit  
SPA  
Continuous drain current  
I
A
D
1)  
T = 25 °C  
21  
13.1  
21  
C
1)  
T = 100 °C  
13.1  
63  
C
Pulsed drain current, t limited by T  
I
D puls  
63  
A
p
jmax  
Avalanche energy, single pulse  
E
690  
690  
mJ  
AS  
I =10A, V =50V  
D
DD  
2)  
E
Avalanche energy, repetitive t limited by T  
1
1
AR  
AR  
jmax  
I =21A, V =50V  
D
DD  
Avalanche current, repetitive t limited by T  
Gate source voltage  
I
21  
21  
±20  
±30  
34.5  
A
V
AR  
jmax  
AR  
V
V
P
±20  
±30  
208  
GS  
GS  
tot  
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
Power dissipation, T = 25°C  
W
C
Operating and storage temperature  
T , T  
-55...+150  
°C  
j
stg  
Page 1  
2003-07-02  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SPP21N50C3_07 INFINEON

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