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SPP20N60S5HKSA1

更新时间： 2024-11-26 19:33:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 366K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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SPP20N60S5HKSA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.65其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：690 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.19 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPP20N60S5HKSA1 数据手册

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SPP20N60S5  
Cool MOS™ Power Transistor  
Feature  
• New revolutionary high voltage technology  
V
600  
0.19  
20  
V
Ω
A
DS  
R
DS(on)  
I
D
• Worldwide best R  
in TO 220  
DS(on)  
PG-TO220  
• Ultra low gate charge  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv/dt rated  
2
3
2
1
• Ultra low effective capacitances  
• Improved transconductance  
P-TO220-3-1  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
20N60S5  
SPP20N60S5  
PG-TO220  
Q67040-S4751  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T = 25 °C  
20  
13  
C
T = 100 °C  
C
40  
Pulsed drain current, t limited by T  
I
p
jmax  
D puls  
690  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I = 10 A, V = 50 V  
D
DD  
1)  
jmax  
E
1
Avalanche energy, repetitive t limited by T  
AR  
AR  
I = 20 A, V = 50 V  
D
DD  
20  
A
V
Avalanche current, repetitive t limited by T  
Gate source voltage  
I
V
AR  
jmax AR  
±20  
30  
208  
GS  
V
P
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
GS  
tot  
Power dissipation, T = 25°C  
W
C
°C  
Operating and storage temperature  
T , T  
-55... +150  
j
stg  
Page 1  
Rev. 2.8  
2009-12-01  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolu

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