SUP75N06-08

更新时间： 2024-09-23 21:55:47

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N-Channel Enhancement-Mode Transistors

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SUP75N06-08 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.008 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SUP75N06-08 数据手册

SUP/SUB75N06-08

N-Channel Enhancement-Mode Transistors

Product Summary

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.008

TO-220AB

TO-263

DRAIN connected to TAB

D S

Top View

G D S

N-Channel MOSFET

SUB75N06-08

Top View

SUP75N06-08

Absolute Maximum Ratings (T_C= 25_C Unless Otherwise Noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 125_C

Continuous Drain Current

(T = 175

_C)

240

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

280

= 25_C (TO-220AB and TO-263)

187

Power Dissipation

= 25_C (TO-263)

3.7

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 175

stg

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

Limit

Unit

PCB Mount (TO-263)

62.5

0.8

Junction-to-Ambient

Junction-to-Case

thJA

thJC

_C/W

Free Air (TO-220AB)

Notes

a. Package limited.

b. Duty cycle v 1%.

c. See SOA curve for voltage derating.

d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Updates to this data sheet may be obtained via facsimile by calling Siliconix FaxBack, 1-408-970-5600. Please request FaxBack document # 70283.

A SPICE Model data sheet is available for this product (FaxBack document #70527).

Siliconix

S-47969—Rev. D, 08-Jul-96

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