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SUP60N10-16L

更新时间： 2024-11-11 21:54:55

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威世 - VISHAY		/
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5页	42K
描述
N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET

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SUP60N10-16L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.86
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SUP60N10-16L 数据手册

SUP60N10-16L

Vishay Siliconix

N-Channel 100-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

D 175_C Junction Temperature

D PWM Optimized

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.016 @ V = 10 V

100

0.018 @ V = 4.5 V

APPLICATIONS

D DC/DC Primary Side Switch

TO-220AB

DRAIN connected to TAB

G D S

Top View

SUP60N10-16L

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

100

"20

= 25_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

= 125_C

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

100

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

Maximum Power Dissipation

= 25_C

150

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient (Free Air)

Junction-to-Case

62.5

1.0

thJA

thJC

C/W

Notes

a. Duty cycle v 1%.

b. See SOA curve for voltage derating.

c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 71928

S-03600—Rev. B, 31-Mar-03

www.vishay.com

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