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SUP60N10-18P-E3 PDF预览

SUP60N10-18P-E3

更新时间： 2024-11-12 20:08:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 59K
描述
N-CH MOSFET TO-220 100V 18MOHM @ 10V - Rail/Tube

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SUP60N10-18P-E3 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：101 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：60 A
最大漏源导通电阻：0.0183 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SUP60N10-18P-E3 数据手册

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SUP/SUB60N06-18  
Vishay Siliconix  
N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
60  
0.018  
60  
TO-220AB  
D
TO-263  
DRAIN connected to TAB  
G
G
D S  
G D S  
Top View  
Top View  
S
SUB60N06-18  
SUP60N06-18  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
60  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25_C  
= 100_C  
60  
39  
C
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
D
J
T
C
A
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
I
120  
60  
DM  
I
AR  
a
Repetitive Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
E
180  
mJ  
W
AR  
b
T
C
= 25_C (TO-220AB and TO-263)  
120  
Power Dissipation  
P
D
c
T
A
= 25_C (TO-263)  
3.7  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 175  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
c
PCB Mount (TO-263)  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Case  
R
thJA  
thJC  
Free Air (TO-220AB)  
62.5  
1.25  
_
C/W  
R
Notes:  
a. Duty cycle v 1%.  
b. See SOA curve for voltage derating.  
c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm  
Document Number: 70290  
S–57253—Rev. D, 24-Feb-98  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
2-1  
12345

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SUP60N10-18P-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RSJ550N10TL ROHM

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.0189ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
STP70N10F4 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET™

与SUP60N10-18P-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SUP60N6-18 ETC

获取价格
SUP60P06-20 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
SUP65P04-15 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUP65P06 TEMIC

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 		P-Channel Enhancement-Mode Transistors
SUP65P06-20 VISHAY

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 		P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
SUP65P06-20 TEMIC

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 		P-Channel Enhancement-Mode Transistors
SUP70030E VISHAY

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 		N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
SUP70040E-GE3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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