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SUP65P06-20 PDF预览

SUP65P06-20

更新时间： 2024-09-22 21:55:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

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SUP65P06-20 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.58配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：65 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：187 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

SUP65P06-20 数据手册

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SUP/SUB65P06-20  
Vishay Siliconix  
P-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on)  
(ꢀ )  
ID (A)  
a
–60  
0.020  
–65  
TO-220AB  
S
TO-263  
G
DRAIN connected to TAB  
G
D S  
G D S  
Top View  
Top View  
D
SUB65P06-20  
SUP65P06-20  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Gate-Source Voltage  
V
GS  
"20  
V
a
T
= 25_C  
= 125_C  
–65  
C
Continuous Drain Current  
(T = 175_C)  
J
I
D
T
–39  
–200  
–60  
C
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
Avalanche Current  
I
AR  
b
Repetitive Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
E
AR  
180  
mJ  
d
T
= 25_C (TO-220AB and TO-263)  
250  
C
Power Dissipation  
P
D
W
c
T
= 125_C (TO-263)  
3.7  
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 175  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
c
PCB Mount (TO-263)  
R
thJA  
R
thJA  
R
thJC  
40  
62.5  
0.6  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Case  
Free Air (TO-220AB)  
_C/W  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Duty cycle v 1%.  
c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).  
d. See SOA curve for voltage derating.  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm  
Document Number: 70289  
S-05111—Rev. C, 10-Dec-01  
www.vishay.com  
2-1  
1234

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SUP65P06-20 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SUM55P06-19L-E3 VISHAY

功能相似

 P-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET
SPB80P06PG INFINEON

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SUP70042E VISHAY

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SUP70060E VISHAY

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SUP70N03-09BP VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized

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