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SUP70040E-GE3

更新时间： 2024-11-12 21:08:59

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	154K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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SUP70040E-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	1.7	雪崩能效等级（Eas）：	266 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.004 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	480 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SUP70040E-GE3 数据手册

SUP70040E

Vishay Siliconix

www.vishay.com

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES

• ThunderFET^®power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

R_DS(on)() MAX.

I_D(A) ^d

120

Q_g(TYP.)

• Maximum 175 °C junction temperature

• 100 % R_gand UIS tested

0.0040 at V_GS= 10 V

0.0046 at V_GS= 7.5 V

100

120

• Material categorization:

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

TO-220AB

APPLICATIONS

• Power supply

- Secondary synchronous rectification

• DC/DC converter

• Power tools

• Motor drive switch

• DC/AC inverter

• Battery management

Top View

Ordering Information:

SUP70040E-GE3 (Lead (Pb)-free and halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

_C= 70 °C

120 ^d

480

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

Pulsed Drain Current (t = 100 μs)

Avalanche Current

I_DM

I_AS

Single Avalanche Energy ^a

L = 0.1 mH

T_C= 25 °C

T_C= 125 °C

E_AS

266

375 ^b

125 ^b

-55 to +175

Maximum Power Dissipation ^a

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

R_thJA

LIMIT

UNIT

Junction-to-Ambient (PCB Mount) ^c

°C/W

Junction-to-Case (Drain)

R_thJC

0.4

Notes

a. Duty cycle  1 %.

b. See SOA curve for voltage derating.

c. When mounted on 1" square PCB (FR4 material).

d. Package limited.

S13-0736-Rev. A, 13-Apr-15

Document Number: 62996

For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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SUP70090E-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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SUP70N03-09BP-E3	VISHAY	获取价格	暂无描述
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