SUP65P04-15

更新时间： 2024-11-11 22:17:19

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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5页	57K
描述
P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET

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SUP65P04-15 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	65 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	120 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SUP65P04-15 数据手册

SUP/SUB65P04-15

New Product

Vishay Siliconix

P-Channel 40-V (D-S) 175_C MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.015 @ V = –10 V

–65

–50

–40

0.023 @ V = –4.5

TO-220AB

TO-263

DRAIN connected to TAB

D S

Top View

G D S

P-Channel MOSFET

SUB65P04-15

Top View

SUP65P04-15

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–40

"20

–65

= 25_C

= 125_C

Continuous Drain Current

(T = 175

_C)

–37

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

–240

–60

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

180

= 25_C (TO-220AB and TO-263)

120

Power Dissipation

= 25_C (TO-263)

3.75

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

PCB Mount (TO-263)

thJA

thJC

Junction-to-Ambient

Junction-to-Case

C/W

Free Air (TO-220AB)

62.5

1.25

Notes:

a. Duty cycle v 1%.

b. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

c. See SOA curve for voltage derating.

Document Number: 71174

S-00831—Rev. A, 01-May-00

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4 5

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