是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.81 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 60 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 120 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SUP60N10 | THINKISEMI |
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60A,100V Heatsink Trench N-Channel Power MOSFET | |
SUP60N10-16L | VISHAY |
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N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET | |
SUP60N10-18P-E3 | VISHAY |
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N-CH MOSFET TO-220 100V 18MOHM @ 10V - Rail/Tube | |
SUP60N6-18 | ETC |
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SUP60P06-20 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
SUP65P04-15 | VISHAY |
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P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET | |
SUP65P06 | TEMIC |
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P-Channel Enhancement-Mode Transistors | |
SUP65P06-20 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET | |
SUP65P06-20 | TEMIC |
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P-Channel Enhancement-Mode Transistors | |
SUP70030E | VISHAY |
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N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |