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SUP60N06-12P-GE3

更新时间： 2024-11-12 08:58:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 168K
描述
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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SUP60N06-12P-GE3 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83雪崩能效等级（Eas）：80 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：60 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SUP60N06-12P-GE3 数据手册

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SUP60N06-12P  
Vishay Siliconix  
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)  
Qg (Typ.)  
Definition  
60d  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
0.012 at VGS = 10 V  
60  
33  
•
•
•
•
100 % UIS Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
TO-220AB  
•
Synchronous Rectifier  
•
Power Supplies  
D
G
G D  
S
Top View  
S
Ordering Information: SUP60N06-12P-E3 (Lead (Pb)-free)  
SUP60N06-12P-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
C
Parameter  
Symbol  
Limit  
60  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
60d  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
54d  
80  
40  
80  
A
IDM  
IAS  
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
Single Avalanche Energya  
EAS  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
mJ  
W
100b  
3.25  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
T
A = 25 °Cc  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)c  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
RthJA  
°C/W  
RthJC  
Junction-to-Case (Drain)  
1.25  
Notes:  
a. Duty cycle 1 %.  
b. See SOA curve for voltage derating.  
c. When Mounted on 1" square PCB (FR-4 material).  
d. Package limited.  
Document Number: 69070  
S10-1475-Rev. C, 05-Jul-10  
www.vishay.com  
1
1234567

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