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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SUP60N02-4M5P-E3
SUP60N02-4M5P-E3 PDF预览

SUP60N02-4M5P-E3

更新时间： 2024-09-23 08:58:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 117K
描述
N-Channel 20-V (D-S) 175 °C MOSFET

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SUP60N02-4M5P-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：125 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：60 A最大漏源导通电阻：0.0065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：120 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Pure Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SUP60N02-4M5P-E3 数据手册

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SUP60N02-4m5P  
Vishay Siliconix  
N-Channel 20-V (D-S) 175 °C MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
175 °C Junction Temperature  
100 % Rg Tested  
I
D (A)a  
V(BR)DSS (V)  
rDS(on) (Ω)  
RoHS  
0.0045 at VGS = 10 V  
0.0065 at VGS = 4.5 V  
60  
60  
COMPLIANT  
20  
100 % UIS Tested  
APPLICATIONS  
OR-ing  
•
TO-220AB  
D
DRAIN connected to TAB  
G
G D  
S
Top View  
S
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: SUP60N02-4m5P-E3 (Lead (Pb)-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
20  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
60a  
TC = 25 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)  
ID  
60a  
120  
50  
TC = 100 °C  
A
IDM  
IAS  
Pulsed Drain Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
EAS  
125  
mJ  
W
120c  
3.75  
Maximum Power Dissipationb  
PD  
T
A = 25 °Cd  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)d  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
RthJA  
°C/W  
RthJC  
Junction-to-Case  
1.25  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Duty cycle ≤ 1 %.  
c. See SOA curve for voltage derating.  
d. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).  
Document Number: 69821  
S-80182-Rev. A, 04-Feb-08  
www.vishay.com  
1
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