SUP57N20-33

更新时间： 2024-09-22 22:17:19

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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描述
N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET

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SUP57N20-33 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.43
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	57 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SUP57N20-33 数据手册

SUP57N20-33

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 200-V (D-S) 175_C MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFETS

D 175_C Junction Temperature

APPLICATIONS

PRODUCT SUMMARY

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D Automotive

200

0.033 @ V = 10 V

- 42-V EPS and ABS

- DC/DC Conversion

- Motor Drives

D Isolated DC/DC converters

TO-220AB

- Primary-Side Switch

DRAIN connected to TAB

G D S

Top View

N-Channel MOSFET

SUP57N20-33

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

200

"20

= 25_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

= 125_C

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

140

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

= 25_C

300

Maximum Power Dissipation

= 25_C

3.75

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

thJA

thJC

C/W

Junction-to-Case (Drain)

0.5

Notes

a. Duty cycle v 1%.

b. See SOA curve for voltage derating.

c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 72100

S-22449—Rev. A, 20-Jan-03

www.vishay.com

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