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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.32 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 57 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 57 A | 最大漏源导通电阻： | 0.033 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUP60020E | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
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| SUP60030E | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
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| SUP60030E-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB |
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| SUP60061EL | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
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| SUP60N02-4M5P | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUP60N02-4M5P-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUP60N06 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET |
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| SUP60N06-08 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SUP60N06-12P | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SUP60N06-12P-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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