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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.79 | 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.021 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | PURE MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUP52N20-39P | VISHAY |
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TRANSISTOR 52 A, 200 V, 0.094 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN |
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| SUP52N20-39P-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SUP53P06-20 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SUP53P06-20-E3 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SUP57N20-33 | VISHAY |
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N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET |
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| SUP57N20-33_08 | VISHAY |
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N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUP57N20-33-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUP60020E | VISHAY |
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N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
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| SUP60030E | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
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| SUP60030E-GE3 | VISHAY |
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MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB |
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