是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.79 | 雪崩能效等级(Eas): | 80 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 50 A | 最大漏源导通电阻: | 0.021 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A |
表面贴装: | NO | 端子面层: | PURE MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SUP52N20-39P | VISHAY |
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TRANSISTOR 52 A, 200 V, 0.094 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | |
SUP52N20-39P-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
SUP53P06-20 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SUP53P06-20-E3 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SUP57N20-33 | VISHAY |
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N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET | |
SUP57N20-33_08 | VISHAY |
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N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUP57N20-33-E3 | VISHAY |
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N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET | |
SUP60020E | VISHAY |
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N-Channel 80 V (D-S) MOSFET | |
SUP60030E | VISHAY |
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N-Channel 80 V (D-S) MOSFET | |
SUP60030E-GE3 | VISHAY |
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MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB |