是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.31 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 20 A |
最大漏极电流 (ID): | 20 A | 最大漏源导通电阻: | 0.17 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 160 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STB23NM60N | STMICROELECTRONICS |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB25NM60NX | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh™ II P | |
STB26N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.14 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET,D | |
STB26NM60N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-2 | |
STB270N04 | STMICROELECTRONICS |
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STB270N04-1 | STMICROELECTRONICS |
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STB270N4F3 | STMICROELECTRONICS |
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STB270N4F3_08 | STMICROELECTRONICS |
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STB270N4F3_09 | STMICROELECTRONICS |
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STB28N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET, | |
STB28N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET, |