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STB3020LT4 PDF预览

STB3020LT4

更新时间： 2024-02-19 04:15:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 83K
描述
40A, 30V, 0.038ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3

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STB3020LT4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.91
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.038 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB3020LT4 数据手册

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STB3020L  
2
N - CHANNEL 30V - 0.019  
Ω
- 40A - D PAK  
STripFET POWER MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STB3020L  
30 V  
< 0.022 Ω  
40 A  
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.019 Ω  
LOW GATE CHARGE A 100oC  
APPLICATIONORIENTED  
CHARACTERIZATION  
■
■
FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT  
SALES OFFICE  
ADD SUFFIX ”T4” FOR ORDERING IN TAPE  
& REEL  
3
1
D2PAK  
TO-263  
(suffix ”T4”)  
DESCRIPTION  
This Power Mosfet is the latest development of  
STMicroelectronics unique ”Single Feature  
Size ” strip-based process. The resulting transi-  
stor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalance characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturingreproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
■
■
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-AC & DC-AC CONVERTERS IN HIGH  
PERFORMANCE VRMs  
■
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
30  
V
20  
V
±
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
40  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
28  
160  
A
I
DM(• )  
Drain Current (pulsed)  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
80  
W
Derating Factor  
0.53  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/8  
March 1999  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB3055L2 SAMHOP

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