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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.91 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.038 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB3055L2 | SAMHOP |
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N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STB30N10 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 100V - 0.06ohm - 30A - D2PAK POWER MOS TRANSISTOR |
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| STB30N10T4 | STMICROELECTRONICS |
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30A, 100V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 |
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| STB30N65DM6AG | STMICROELECTRONICS |
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Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK p |
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| STB30N65M2AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| STB30N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh⢠V |
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| STB30N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、0.15 Ohm典型值、24 A MDmesh K5功率MOSFET，D |
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| STB30NE06L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 60V - 0.35ohm - 30A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET |
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| STB30NE06LT4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
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| STB30NF10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-22 |
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