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STB30NS15

更新时间： 2024-02-19 00:45:02
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅
页数 文件大小 规格书
9页 344K
描述
N-CHANNEL 150V - 0.075 ohm - 30A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET

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STB30NS15 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.78
雪崩能效等级（Eas）：250 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB30NS15 数据手册

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STB30NS15  
2
N-CHANNEL 150V - 0.075 Ω - 30A D PAK  
LOW GATE CHARGE STripFET™ POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STB30NS15  
150 V  
<0.1 Ω  
30 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.075 Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
1
■
FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT  
SALES OFFICE  
2
D PAK  
TO-263  
(Suffix “T4”)  
DESCRIPTION  
This MOSFET series realized with STMicroelectronics  
unique STripFET process has specifically been designed  
to minimize input capacitance and gate charge. It is  
therefore suitable as primary switch in advanced high-  
efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for  
Telecom and Computer applications. It is also intended  
for any applications with low gate drive requirements.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
■
UPS AND MOTOR CONTROL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
150  
150  
± 20  
30  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V  
= 0)  
GS  
V
DGR  
Drain-gate Voltage (R  
GS  
= 20 kΩ)  
V
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
D
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
21  
A
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
120  
110  
0.73  
2
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
dv/dt  
E
250  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) I  
≤ 30A, di/dt ≤ 100A/µs, V  
≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS  
SD  
DD  
DD  
j
JMAX.  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 15A, V  
= 25V  
j
D
October 2001  
1/9  
1234567...9

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与STB30NS15相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB30NS15T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
STB31N65M5 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET，
STB32N65M5 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh™ V
STB32N65M5TRL STMICROELECTRONICS

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 		24A, 650V, 0.119ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK
STB3300 ETC

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 		RF Modulator/Demodulator
STB33N10 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		33A, 100V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
STB33N10-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		33A, 100V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN
STB33N10T4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		33A, 100V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
STB33N60DM2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET
STB33N60DM6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、115 mOhm典型值、25 A MDmesh DM6功率MOSFET，

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