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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262AA | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 240 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 33 A | 最大漏极电流 (ID)： | 33 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 132 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB33N10T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
33A, 100V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN |
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| STB33N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STB33N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、115 mOhm典型值、25 A MDmesh DM6功率MOSFET， |
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| STB33N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STB33N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package |
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| STB33N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.117 Ohm典型值、24 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STB34N50DM2AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道500 V、0.10 Ohm典型值、26 A MDmesh DM2功率MOSF |
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| STB34N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET，D |
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| STB34NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.097 Ohm typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, T |
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| STB35N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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