生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.76 | 雪崩能效等级(Eas): | 240 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 33 A |
最大漏源导通电阻: | 0.06 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 132 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB33N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET | |
STB33N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、115 mOhm典型值、25 A MDmesh DM6功率MOSFET, | |
STB33N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STB33N60M6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package | |
STB33N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.117 Ohm典型值、24 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STB34N50DM2AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道500 V、0.10 Ohm典型值、26 A MDmesh DM2功率MOSF | |
STB34N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET,D | |
STB34NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 0.097 Ohm typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, T | |
STB35N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET | |
STB35N65DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET |