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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 17 weeks |
| 风险等级： | 1.72 | 雪崩能效等级（Eas）： | 345 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A | 最大漏极电流 (ID)： | 29 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.105 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 116 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STB34N65M5 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N沟道650 V、0.09 Ohm典型值、28 A MDmesh M5功率MOSFET，D |
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| IPW60R099CPA | INFINEON |
功能相似 |
CoolMOS Power Transistor |
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| IPI60R099CPA | INFINEON |
功能相似 |
CoolMOS Power Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB36NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Automotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II |
|
| STB37N60DM2AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道600 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOS |
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| STB38N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.073 Ohm典型值、30 A MDmesh M5功率MOSFET， |
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| STB3N60-1 | ETC |
获取价格 |
OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN |
|
| STB3N62K3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 620 V, 2.2 OHM , 2.7 A SuperMESH3 Power MOSFET D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IP |
|
| STB3N62K3_09 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 620 V, 2.2 OHM , 2.7 A SuperMESH3 Power MOSFET D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IP |
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| STB3NA60-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STB3NA80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STB3NA80-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-262VAR |
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| STB3NA80T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-263AB |
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