生命周期: | Not Recommended | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.7 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 150 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (ID): | 2.4 A | 最大漏源导通电阻: | 3.6 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 9.6 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB3NK60ZT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PA | |
STB4080CTR | ETC |
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DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V D2PAK | |
STB40N20 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET | |
STB40N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.078 Ohm典型值、34 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STB40NE03L20 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB | |
STB40NE03L-20 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE | |
STB40NE03L-20T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB | |
STB40NF03L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 30V - 0.020 ohm - 40A D2PAK STripFET POWER MOSFET | |
STB40NF03LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB | |
STB40NF10 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 100V - 0.030W - 40ohm TO-263 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET |