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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB3NK60ZT4
STB3NK60ZT4 PDF预览

STB3NK60ZT4

更新时间： 2024-02-12 05:45:24
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
15页 757K
描述
N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET

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STB3NK60ZT4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.9Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.4 A
最大漏极电流 (ID)：2.4 A最大漏源导通电阻：3.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：9.6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB3NK60ZT4 数据手册

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STP3NK60Z - STP3NK60ZFP  
STB3NK60Z-STD3NK60Z-STD3NK60Z-1  
N-CHANNEL 600V - 3.3Ω - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK  
Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET  
TYPE  
V
R
I
D
Pw  
DSS  
DS(on)  
STP3NK60Z  
STP3NK60ZFP  
STB3NK60Z  
STD3NK60Z  
STD3NK60Z-1  
600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
< 3.6 Ω  
< 3.6 Ω  
< 3.6 Ω  
< 3.6 Ω  
< 3.6 Ω  
2.4 A  
2.4 A  
2.4 A  
2.4 A  
2.4 A  
45 W  
20 W  
45 W  
45 W  
45 W  
3
2
1
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 3.3 Ω  
DS  
TO-220  
TO-220FP  
3
1
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
GATE CHARGE MINIMIZED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
VERY GOOD MANUFACTURING  
REPEATIBILITY  
2
D PAK  
3
3
2
1
1
IPAK  
DPAK  
DESCRIPTION  
The SuperMESH™ series is obtained through an  
extreme optimization of ST’s well established strip-  
based PowerMESH™ layout. In addition to pushing  
on-resistance significantly down, special care is tak-  
en to ensure a very good dv/dt capability for the  
most demanding applications. Such series comple-  
ments ST full range of high voltage MOSFETs in-  
cluding revolutionary MDmesh™ products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
IDEAL FOR OFF-LINE POWER SUPPLIES,  
ADAPTORS AND PFC  
■
■
LIGHTING  
ORDERING INFORMATION  
SALES TYPE  
MARKING  
P3NK60Z  
P3NK60ZFP  
B3NK60Z  
D3NK60Z  
D3NK60Z  
PACKAGE  
PACKAGING  
TUBE  
STP3NK60Z  
STP3NK60ZFP  
STB3NK60ZT4  
STD3NK60Z-1  
STD3NK60ZT4  
TO-220  
TO-220FP  
TUBE  
2
TAPE & REEL  
TUBE  
D PAK  
IPAK  
DPAK  
TAPE & REEL  
July 2003  
1/15  
1234567...15

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STB3NK60ZT4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB9NK60ZT4 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/FP/D2PAK
STB14NK60ZT4 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power

与STB3NK60ZT4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB4080CTR ETC

获取价格

 		DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V D2PAK
STB40N20 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STB40N60M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.078 Ohm典型值、34 A MDmesh M2功率MOSFET，
STB40NE03L20 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB40NE03L-20 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE
STB40NE03L-20T4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB40NF03L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 30V - 0.020 ohm - 40A D2PAK STripFET POWER MOSFET
STB40NF03LT4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB40NF10 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 100V - 0.030W - 40ohm TO-263 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STB40NF10_07 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 100V - 0.025ヘ - 50A - D2PAK Low gat

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