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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB40NF10L
STB40NF10L PDF预览

STB40NF10L

更新时间： 2024-02-20 03:16:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅
页数 文件大小 规格书
9页 437K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.028ohm - 40A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET

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STB40NF10L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：430 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.036 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB40NF10L 数据手册

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STB40NF10L  
N-CHANNEL 100V - 0.028Ω - 40A D2PAK  
LOW GATE CHARGE STripFET™ POWER MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STB40NF10L  
100 V  
< 0.033 Ω  
40 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.028Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
1
■
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &  
REEL  
D2PAK  
DESCRIPTION  
This Power Mosfet series realized with STMicro-  
electronics unique STripFET process has specifical-  
ly been designed to minimize input capacitance and  
gate charge. It is therefore suitable as primary  
switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC  
converters for Telecom and Computer application. It  
is also intended for any application with low gate  
charge drive requirements.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
UPS AND MOTOR CONTROL  
AUTOMOTIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
100  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 15  
40  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
25  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
160  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
150  
W
C
Derating Factor  
1
W/°C  
mJ  
°C  
°C  
E
AS  
(1)  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
430  
T
stg  
–65 to 175  
175  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(●) Pulse width limited by safe operating area  
(1) Starting T = 25°C, I = 20A, V = 40V  
j
D
DD  
April 2001  
1/9  
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STB40NF10L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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