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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB40NF10-1
STB40NF10-1 PDF预览

STB40NF10-1

更新时间： 2024-01-17 01:01:21
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅
页数 文件大小 规格书
11页 481K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.024ohm - 50A TO-220/D2PAK/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STB40NF10-1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-262AA包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB40NF10-1 数据手册

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STP40NF10  
STB40NF10 - STB40NF10-1  
N-CHANNEL 100V - 0.024Ω - 50A TO-220/D2PAK/I2PAK  
LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP40NF10  
STB40NF10  
STB40NF10-1  
100 V  
100 V  
100 V  
< 0.028 Ω  
< 0.028 Ω  
< 0.028 Ω  
50 A  
50 A  
50 A  
3
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.024Ω  
1
DS  
3
2
2
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
D PAK  
1
TO-220  
3
■
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &  
REEL  
2
1
2
I PAK  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET series realized with STMicro-  
electronics unique STripFET process has specifical-  
ly been designed to minimize input capacitance and  
gate charge. It is therefore suitable as primary  
switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC  
converters for Telecom and Computer application. It  
is also intended for any application with low gate  
charge drive requirements.  
APPLICATIONS  
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
■
UPS AND MOTOR CONTROL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
100  
± 20  
50  
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I (*)  
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
35  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
200  
150  
1
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
20  
E
(2)  
150  
AS  
T
stg  
– 55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(●) Pulse width limited by safe operating area  
(1) I ≤40A, di/dt ≤600A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(*) Limited by Package  
(2) Starting T = 25°C, I = 40A, V = 50V  
j
D
DD  
September 2002  
1/11  
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与STB40NF10-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB40NF10L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 100V - 0.028ohm - 40A D2PAK LOW GAT
STB40NF10LT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
STB40NF10T4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 100V - 0.025ヘ - 50A - D2PAK Low gat
STB40NF20 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 200V - 0.038ヘ -40A- D2PAK/TO-220/TO
STB40NS15 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A D2PAK MESH OV
STB40NS15T4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 150V - 0.045Ω - 40A - D2PAK MESH O
STB416D SAMHOP

获取价格

 		Transistor
STB41N40DM6AG STMICROELECTRONICS

获取价格

 		汽车级N沟道400 V、50 mOhm典型值、41 A MDmesh DM6功率MOSFE
STB42N60M2-EP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.076 Ohm典型值、34 A MDmesh M2 EP功率MOSF
STB42N65DM5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		33A, 650V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK

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