是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-262AA | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.71 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 150 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 50 A | 最大漏极电流 (ID): | 50 A |
最大漏源导通电阻: | 0.028 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-262AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 200 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB40NF10L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.028ohm - 40A D2PAK LOW GAT | |
STB40NF10LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB | |
STB40NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100V - 0.025ヘ - 50A - D2PAK Low gat | |
STB40NF20 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 200V - 0.038ヘ -40A- D2PAK/TO-220/TO | |
STB40NS15 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A D2PAK MESH OV | |
STB40NS15T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 150V - 0.045Ω - 40A - D2PAK MESH O | |
STB416D | SAMHOP |
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Transistor | |
STB41N40DM6AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道400 V、50 mOhm典型值、41 A MDmesh DM6功率MOSFE | |
STB42N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.076 Ohm典型值、34 A MDmesh M2 EP功率MOSF | |
STB42N65DM5 | STMICROELECTRONICS |
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33A, 650V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK |