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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 51K | |
描述 | ||
N - CHANNEL 100V - 0.030W - 40ohm TO-263 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET |
是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.19 | 雪崩能效等级(Eas): | 150 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 40 A | 最大漏极电流 (ID): | 50 A |
最大漏源导通电阻: | 0.028 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 200 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STB40NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 100V - 0.025ヘ - 50A - D2PAK Low gat |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB40NF10_07 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100V - 0.025ヘ - 50A - D2PAK Low gat | |
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STB40NF10L | STMICROELECTRONICS |
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STB40NF10LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB | |
STB40NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
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Transistor | |
STB41N40DM6AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道400 V、50 mOhm典型值、41 A MDmesh DM6功率MOSFE |