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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 18页 | 1363K |  |
| 描述 | ||
| Automotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 17 weeks | 风险等级： | 1.69 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 29 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 190 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB37N60DM2AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道600 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOS |
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| STB38N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.073 Ohm典型值、30 A MDmesh M5功率MOSFET， |
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| STB3N60-1 | ETC |
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OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN |
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| STB3N62K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 620 V, 2.2 OHM , 2.7 A SuperMESH3 Power MOSFET D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IP |
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| STB3N62K3_09 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 620 V, 2.2 OHM , 2.7 A SuperMESH3 Power MOSFET D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IP |
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| STB3NA60-1 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STB3NA80 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STB3NA80-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-262VAR |
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| STB3NA80T4 | STMICROELECTRONICS |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-263AB |
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| STB3NB60 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3.3A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET |
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