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STB3NC90ZT4

更新时间： 2024-11-02 20:22:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 426K
描述
3.5A, 900V, 3.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3

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STB3NC90ZT4 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.79
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：220 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：3.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB3NC90ZT4 数据手册

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STB3NC90Z  
2
N-CHANNEL 900V - 3.2Ω - 3.5A D PAK  
Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STB3NC90  
900V  
< 3.5Ω  
3.5 A  
■
■
TYPICAL R (on) = 3.2Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt AND CAPABILITY GATE  
TO - SOURCE ZENER DIODES  
3
■
■
■
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE  
GATE CHARGE MINIMIZED  
1
2
D PAK  
DESCRIPTION  
The third generation of MESH OVERLAY™ Power  
MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed  
on-resistance per unit area while integrating back-to-  
back Zener diodes between gate and source. Such ar-  
rangement gives extra ESD capability with higher rug-  
gedness performance as requested by a large variety  
of single-switch applications.  
APPLICATIONS  
■
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,  
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION  
WELDING EQUIPMENT  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
900  
Unit  
V
V
DS  
Drain-srce Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
900  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 25  
3.5  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
2.2  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
14  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
100  
W
C
Derating Factor  
0.8  
W/°C  
mA  
KV  
V/ns  
°C  
°C  
I
Gate-source Current (*)  
±50  
GS  
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
2.5  
ESD(G-S)  
dv/dt  
3
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤3.5A, di/dt ≤100A/µs, V  
≤ V , T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX  
SD  
DD  
(*) Limited only by maximum temperature allowed  
.
May 2001  
1/9  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB3NK60Z STMICROELECTRONICS

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