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STB3NC90Z-1

更新时间： 2024-01-19 22:10:37
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
11页 337K
描述
N-CHANNEL 900V - 3.2ohm - 3.5A TO-220/TO-220FP/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

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STB3NC90Z-1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-262AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
雪崩能效等级（Eas）：220 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：3.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB3NC90Z-1 数据手册

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STP3NC90Z - STP3NC90ZFP  
STB3NC90Z-1  
N-CHANNEL 900V - 3.2Ω - 3.5A TO-220/TO-220FP/I2PAK  
Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP3NC90Z/FP  
STB3NC90Z-1  
900V  
900V  
< 3.5Ω  
< 3.5Ω  
3.5 A  
3.5 A  
■
■
TYPICAL R (on) = 3.2Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt AND CAPABILITY GATE  
TO - SOURCE ZENER DIODES  
3
2
1
TO-220  
TO-220FP  
■
■
■
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
I2PAK  
(Tabless TO-220)  
DESCRIPTION  
The third generation of MESH OVERLAY™ Power  
MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed  
on-resistance per unit area while integrating back-to-  
back Zener diodes between gate and source. Such ar-  
rangement gives extra ESD capability with higher rug-  
gedness performance as requested by a large variety  
of single-switch applications.  
APPLICATIONS  
■
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,  
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION  
WELDING EQUIPMENT  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP(B)3NC90Z(-1) STP3NC90ZFP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
900  
900  
± 25  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
3.5  
2.2  
14  
3.5(*)  
2.2(*)  
14  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
100  
0.8  
35  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.28  
W/°C  
mA  
KV  
V/ns  
V
I
Gate-source Current (*)  
±50  
2.5  
3
GS  
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
ESD(G-S)  
dv/dt  
V
--  
2000  
ISO  
T
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1)I ≤3.5A, di/dt ≤100A/µs, V  
≤ V , T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
SD  
DD  
(*) Limited only by maximum temperature allowed  
.
January 2001  
1/11  
1234567...11

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与STB3NC90Z-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB3NC90ZT4 STMICROELECTRONICS

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 		3.5A, 900V, 3.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
STB3NK60Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PA
STB3NK60ZT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PA
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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
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