STB3NA80T4

更新时间： 2024-01-09 23:31:04

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
10页	129K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 3.1A I(D) \| TO-263AB

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STB3NA80T4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.33	雪崩能效等级（Eas）：	48 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.1 A
最大漏极电流 (ID)：	3.1 A	最大漏源导通电阻：	4.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12.5 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

STB3NA80T4 数据手册

STB3NA80

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE

FAST POWER MOS TRANSISTOR

TYPE

V_DSS

R_{DS(on )}

< 4.5 Ω

I_D

STB3NA80

800 V

3.1 A

TYPICAL R_DS(on)= 3.5 Ω

± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING

100% AVALANCHE TESTED

REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100^oC

LOW INTRINSIC CAPACITANCES

GATE CHARGE MINIMIZED

REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD

THROUGH-HOLE I2PAK (TO-262) POWER

PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)

SURFACE-MOUNTING D2PACK (TO-263)

POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX)

OR IN TAPE & REEL (SUFFIX ”T4”)

I2PAK

TO-262

D2PAK

TO-263

APPLICATIONS

HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

DC-AC CONVERTERS FOR WELDING

EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE

POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_DS

Parameter

Value

800

Unit

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

Drain Current (continuous) at T_c= 25 ^oC

Drain Current (continuous) at T_c= 100 ^oC

Drain Current (pulsed)

V_DGR

V_GS

I_D

800

± 30

3.1

I_D

_DM(• )

12.5

100

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

Derating Factor

1.25

-65 to 150

150

W/^oC

^oC

T_stg

T_j

Storage Temperature

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area

1/10

October 1995

12 3 4 5 6 7...10

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STB3NA80T4 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MTB4N80E	ONSEMI	功能相似	4A, 800V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3
IRFBE30STRLPBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
STB3NA80	STMICROELECTRONICS	功能相似	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

与STB3NA80T4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STB3NB60	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3.3A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET
STB3NB60-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 3.3A I(D) \| TO-262AA
STB3NB60T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 3.3A I(D) \| TO-263AB
STB3NC60	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 600V - 3.3ohm- 3A - D2PAK/I2PAK PowerMESHII MOSFET
STB3NC60-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-262AA
STB3NC60T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-263AB
STB3NC90	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 900V - 3.2W - 3.5A D2PAK Zener-Prot
STB3NC90Z	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 900V - 3.2W - 3.5A D2PAK Zener-Prot
STB3NC90Z-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 900V - 3.2ohm - 3.5A TO-220/TO-220F
STB3NC90ZT4	STMICROELECTRONICS	获取价格	3.5A, 900V, 3.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, D2PAK-3

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