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STB35NF10 PDF预览

STB35NF10

更新时间： 2024-11-01 22:42:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅
页数 文件大小 规格书
10页 468K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.030ohm - 40A TO-220 / D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET

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STB35NF10 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.23Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB35NF10 数据手册

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STP35NF10  
STB35NF10  
N-CHANNEL 100V - 0.030Ω - 40A TO-220 / D2PAK  
LOW GATE CHARGE STripFET™ POWER MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP35NF10  
STB35NF10  
100 V  
100 V  
< 0.035 Ω  
< 0.035 Ω  
40 A  
40 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.030Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
1
3
2
1
2
TO-220  
D PAK  
DESCRIPTION  
This Power Mosfet series realized with STMicro-  
electronics unique STripFET process has specifical-  
ly been designed to minimize input capacitance and  
gate charge. It is therefore suitable as primary  
switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC  
converters for Telecom and Computer application. It  
is also intended for any application with low gate  
charge drive requirements.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
■
UPS AND MOTOR CONTROL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
100  
±20  
40  
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
28  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
160  
115  
0.77  
13  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
E
(2)  
300  
AS  
T
stg  
– 55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(1) I ≤35A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(●) Pulse width limited by safe operating area  
(2) Starting T = 25°C, I = 20A, V = 80V  
j
D
DD  
April 2003  
1/10  
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STB35NF10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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