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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
栅极 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 14页 | 424K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 100V - 0.030Ω - 40A - D2PAK/TO-220 Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.59 | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.035 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 115 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB36N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、85 mOhm典型值、30 A MDmesh M6功率MOSFET，D2 |
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| STB36NF02L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 20V - 0.016 ohm - 36A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET |
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| STB36NF02LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 36A I(D) | TO-263AB |
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| STB36NF03L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 36A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET |
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| STB36NF03LT4 | STMICROELECTRONICS |
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36A, 30V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 |
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| STB36NF06L | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60V - 0.032ohm - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET TM II Power MOSFET |
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| STB36NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Automotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II |
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| STB36NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Automotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II |
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| STB37N60DM2AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道600 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOS |
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| STB38N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.073 Ohm典型值、30 A MDmesh M5功率MOSFET， |
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