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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.45 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 650 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (ID)： | 24 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.119 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 96 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB3300 | ETC |
获取价格 |
RF Modulator/Demodulator |
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| STB33N10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
33A, 100V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN |
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| STB33N10-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
33A, 100V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN |
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| STB33N10T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
33A, 100V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN |
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| STB33N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.110 Ohm典型值、24 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STB33N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、115 mOhm典型值、25 A MDmesh DM6功率MOSFET， |
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| STB33N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STB33N60M6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package |
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| STB33N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.117 Ohm典型值、24 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STB34N50DM2AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道500 V、0.10 Ohm典型值、26 A MDmesh DM2功率MOSF |
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