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STB30NF10 PDF预览

STB30NF10

更新时间： 2024-02-02 09:55:57
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅
页数 文件大小 规格书
11页 456K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STB30NF10 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.22Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：275 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB30NF10 数据手册

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STB30NF10  
STP30NF10 STP30NF10FP  
2
N-CHANNEL 100V - 0.038 Ω - 35A TO-220/TO-220FP/D PAK  
LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STB30NF10  
STP30NF10  
STP30NF10FP  
100 V  
100 V  
100 V  
<0.045 Ω  
<0.045 Ω  
<0.045 Ω  
35 A  
35 A  
18 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.038 Ω  
DS  
3
3
1
2
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
1
2
D PAK  
TO-263  
TO-220FP  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
(Suffix “T4”)  
2
■
SURFACE-MOUNTING D PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR  
IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”)  
3
2
1
TO-220  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
■
UPS AND MOTOR CONTROL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STB30NF10  
STP30NF10FP  
STP30NF10  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
100  
100  
± 20  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
35  
25  
18  
13  
72  
30  
0.2  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
140  
115  
0.77  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
V
(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
28  
dv/dt  
E
275  
AS  
V
ISO  
------  
2000  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) I ≤30A, di/dt ≤400A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
SD  
DD  
(BR)DSS j JMAX  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 15A, V = 30V  
j
D
DD  
May 2002  
1/11  
.
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STB30NF10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB30NF10T4 STMICROELECTRONICS

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