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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB30NM50N | STMICROELECTRONICS |
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27A, 500V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 |
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| STB30NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Powe |
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| STB30NM60N_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Powe |
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| STB30NM60ND | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/ |
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| STB30NS15 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 150V - 0.075 ohm - 30A D2PAK LOW GA |
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| STB30NS15T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
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| STB31N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET， |
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| STB32N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V |
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| STB32N65M5TRL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
24A, 650V, 0.119ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK |
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| STB3300 | ETC |
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RF Modulator/Demodulator |
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