STB30NM60N

更新时间： 2024-11-02 09:01:27

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
18页	769K
描述
N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK

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STB30NM60N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	900 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.13 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STB30NM60N 数据手册

STB30NM60N,STI30NM60N,STF30NM60N

STP30NM60N, STW30NM60N

N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET

TO-220, TO-220FP, TO-247, D²PAK, I²PAK

Features

R_DS(on)

max

V_{DSS @}

T_Jmax

Type

I_D

P_W

STB30NM60N 650 V

STI30NM60N 650 V

<0.13Ω

<0.13Ω 25A⁽¹⁾40 W

25A

190 W

D²PAK

I²PAK

STF30NM60N 650 V

STP30NM60N 650 V

STW30NM60N 650 V

TO-247

<0.13Ω

25A

190 W

1. Limited only by maximum temperature allowed

■ 100% avalanche tested

TO-220FP

TO-220

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Figure 1.

Internal schematic diagram

Application

■ Switching applications

Description

This series of devices is designed using the

second generation of MDmesh™ Technology.

This revolutionary Power MOSFET associates a

new vertical structure to the Company’s strip

layout to yield one of the world’s lowest on-

resistance and gate charge. It is therefore suitable

for the most demanding high efficiency

converters.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STB30NM60N

STI30NM60N

STF30NM60N

STP30NM60N

STW30NM60N

30NM60N

D²PAK

I²PAK

Tape and reel

Tube

TO-220FP

TO-220

TO-247

Tube

July 2008

Rev 2

1/18

www.st.com

12 3 4 5 6 7...18

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STB30NM60N 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STI30NM60N	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Powe
IPI60R125CP	INFINEON	功能相似	CoolMOSTM Power Transistor
IPP60R125CP	INFINEON	功能相似	CoolMOS Power Transistor

与STB30NM60N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STB30NM60N_08	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Powe
STB30NM60ND	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/
STB30NS15	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 150V - 0.075 ohm - 30A D2PAK LOW GA
STB30NS15T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-263AB
STB31N65M5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道650 V、0.124 Ohm典型值、22 A MDmesh M5功率MOSFET，
STB32N65M5	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 650 V, 0.095 Î©, 24 A, MDmeshâ¢ V
STB32N65M5TRL	STMICROELECTRONICS	获取价格	24A, 650V, 0.119ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK
STB3300	ETC	获取价格	RF Modulator/Demodulator
STB33N10	STMICROELECTRONICS	获取价格	33A, 100V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
STB33N10-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	33A, 100V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN

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