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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
18页 | 769K | |
描述 | ||
N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-262AA | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 雪崩能效等级(Eas): | 900 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 25 A | 最大漏极电流 (ID): | 25 A |
最大漏源导通电阻: | 0.13 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-262AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 190 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STB30NM60N | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Powe | |
IPI60R125CP | INFINEON |
功能相似 |
CoolMOSTM Power Transistor | |
IPP60R125CP | INFINEON |
功能相似 |
CoolMOS Power Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STI30NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/ | |
STI3220 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
MOTION ESTIMATION PROCESSOR | |
STI3220CV | ETC |
获取价格 |
Special Function Video Processor | |
STI3240 | ETC |
获取价格 |
Video Processing/ENDEC for MPEG | |
STI32N65M5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 0.095 Ω, 24 A, MDmesh⢠V | |
STI33N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STI33N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.117 Ohm典型值、24 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STI340 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | TO-126 | |
STI3400 | ETC |
获取价格 |
Video Processing/ENDEC for MPEG | |
STI341 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | TO-126 |