5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB30N10
STB30N10 PDF预览

STB30N10

更新时间： 2024-11-25 22:07:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 47K
描述
N - CHANNEL 100V - 0.06ohm - 30A - D2PAK POWER MOS TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

STB30N10 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：TO-263, D2PAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.25Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：240 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.07 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STB30N10 数据手册

 浏览型号STB30N10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STB30N10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STB30N10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STB30N10的Datasheet PDF文件第5页 
STB30N10  
2
N - CHANNEL 100V - 0.06Ω - 30A - D PAK  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STB30N10  
100 V  
< 0.07 Ω  
30 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.06 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
3
1
VERY HIGH CURRENT CAPABILITY  
APPLICATION ORIENTED  
D2PAK  
TO-263  
CHARACTERIZATION  
■
SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX)  
OR IN TAPE & REEL (SUFFIX "T4")  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
REGULATORS  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
100  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
V
V
100  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
± 20  
30  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
21  
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
120  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
150  
W
Derating Factor  
1
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/5  
September 1998  
12345

中文翻译

下载PDF

与STB30N10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB30N10T4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		30A, 100V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3
STB30N65DM6AG STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK p
STB30N65M2AG STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
STB30N65M5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh™ V
STB30N80K5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道800 V、0.15 Ohm典型值、24 A MDmesh K5功率MOSFET，D
STB30NE06L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 60V - 0.35ohm - 30A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET
STB30NE06LT4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
STB30NF10 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-22
STB30NF10_06 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 100V - 0.038ヘ - 35A - D2PAK/TO-220/
STB30NF10T4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 100V - 0.038ヘ - 35A - D2PAK/TO-220/

与STB30N10相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证