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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.78 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB30NE06LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
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| STB30NF10 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.038 ohm - 35A TO-220/TO-22 |
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| STB30NF10_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100V - 0.038ヘ - 35A - D2PAK/TO-220/ |
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| STB30NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 100V - 0.038ヘ - 35A - D2PAK/TO-220/ |
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| STB30NF20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 200V - 0.065ヘ - 30A - TO-220/TO-247 |
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| STB30NF20L | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET(TM) Power MOSFET |
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| STB30NF20TRL | STMICROELECTRONICS |
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30A, 200V, 0.075ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
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| STB30NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
27A, 500V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 |
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| STB30NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Powe |
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| STB30NM60N_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Powe |
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