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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 1.7 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 160 A | 最大漏极电流 (ID)： | 160 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.002 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 330 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 640 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB270N4F3_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40 V - 2.1 mΩ - 160 A - TO-220 - D2 |
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| STB270N4F3_09 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 40 V, 1.6 mΩ, 160 A, D2PAK, I2PAK S |
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| STB28N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET， |
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| STB28N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STB28N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，D |
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| STB28NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh |
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| STB300NH02L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFET TM Power MOSFET |
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| STB300NH02L_0709 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFE |
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| STB300NH02LTRL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| STB3015 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO POWER MOSFET |
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