是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 12 weeks |
风险等级: | 1.7 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 1000 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 160 A | 最大漏极电流 (ID): | 160 A |
最大漏源导通电阻: | 0.002 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 245 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 330 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 640 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB270N4F3_08 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 40 V - 2.1 mΩ - 160 A - TO-220 - D2 | |
STB270N4F3_09 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 40 V, 1.6 mΩ, 160 A, D2PAK, I2PAK S | |
STB28N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET, | |
STB28N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET, | |
STB28N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET,D | |
STB28NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh | |
STB300NH02L | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFET TM Power MOSFET | |
STB300NH02L_0709 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFE | |
STB300NH02LTRL | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 | |
STB3015 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO POWER MOSFET |