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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 14页 | 475K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFET TM Power MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.78 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1600 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 24 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0018 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB300NH02L_0709 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFE |
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| STB300NH02LTRL | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 |
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| STB3015 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO POWER MOSFET |
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| STB3015L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO POWER MOSFET |
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| STB3015LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
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| STB3020L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET |
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| STB3020LT4 | STMICROELECTRONICS |
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40A, 30V, 0.038ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 |
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| STB3055L2 | SAMHOP |
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N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STB30N10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 100V - 0.06ohm - 30A - D2PAK POWER MOS TRANSISTOR |
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| STB30N10T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
30A, 100V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 |
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