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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0029 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 330 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB270N4F3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40V - 2.1m ohm - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFE TM Power MOSFET |
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| STB270N4F3_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40 V - 2.1 mΩ - 160 A - TO-220 - D2 |
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| STB270N4F3_09 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 40 V, 1.6 mΩ, 160 A, D2PAK, I2PAK S |
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| STB28N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET， |
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| STB28N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STB28N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，D |
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| STB28NM50N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh |
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| STB300NH02L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFET TM Power MOSFET |
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| STB300NH02L_0709 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFE |
|
| STB300NH02LTRL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
暂无描述 |
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