5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB26NM60N
STB26NM60N PDF预览

STB26NM60N

更新时间： 2024-11-26 12:26:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
23页 1142K
描述
N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages

阅读下载

中文翻译

获取价格

STB26NM60N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：17 weeks
风险等级：1.68雪崩能效等级（Eas）：610 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.165 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB26NM60N 数据手册

 浏览型号STB26NM60N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STB26NM60N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STB26NM60N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STB26NM60N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STB26NM60N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STB26NM60N的Datasheet PDF文件第7页 
STB26NM60N, STF26NM60N, STI26NM60N  
STP26NM60N, STW26NM60N  
N-channel 600 V, 0.135 Ω typ., 20 A MDmesh™ II Power MOSFET  
in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages  
Datasheet — production data  
TAB  
Features  
TAB  
RDS(on)  
max  
Type  
VDSS  
ID  
3
3
3
2
2
1
2
1
STB26NM60N  
STF26NM60N  
STI26NM60N  
STP26NM60N  
STW26NM60N  
600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
< 0.165 Ω  
< 0.165 Ω  
< 0.165 Ω  
< 0.165 Ω  
< 0.165 Ω  
20 A  
20 A  
20 A  
20 A  
20 A  
1
TO-220  
TO-220FP  
I²PAK  
TAB  
3
3
2
1
■ 100% avalanche tested  
1
D²PAK  
■ Low input capacitance and gate charge  
■ Low gate input resistance  
TO-247  
Application  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
■ Switching applications  
$ꢄ4!"ꢅ ꢆꢇ  
Description  
These devices are N-channel Power MOSFETs  
developed using the second generation of  
MDmesh™ technology. This revolutionary Power  
MOSFET applies a new vertical structure to the  
company’s strip layout to yield a device with one  
of the world’s lowest on-resistance and gate  
charge, making it suitable for the most demanding  
high-efficiency converters.  
'ꢄꢂꢇ  
3ꢄꢈꢇ  
3#ꢀꢁꢂꢃꢀ  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
D²PAK  
Packaging  
STB26NM60N  
STF26NM60N  
STI26NM60N  
STP26NM60N  
Tape and reel  
TO-220FP  
I²PAK  
26NM60N  
Tube  
TO-220  
TO-247  
STW26NM60N  
June 2012  
Doc ID 15642 Rev 5  
1/23  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
23  
1234567...23

中文翻译

下载PDF

STB26NM60N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB23NM60N STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2
STB23NM60ND STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK -
STB25NM60ND STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 600 V - 0.13 Ω - 21 A FDmesh™ II Po

与STB26NM60N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB270N04 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 40V - 2.1m-ohm - 160A - TO-220 - D-2PAK - I-2PAK STripFET-TM Power MOSFET
STB270N04-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 40V - 2.1m-ohm - 160A - TO-220 - D-2PAK - I-2PAK STripFET-TM Power MOSFET
STB270N4F3 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 40V - 2.1m ohm - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFE TM Power MOSFET
STB270N4F3_08 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 40 V - 2.1 mΩ - 160 A - TO-220 - D2
STB270N4F3_09 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 40 V, 1.6 mΩ, 160 A, D2PAK, I2PAK S
STB28N60DM2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET，
STB28N60M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET，
STB28N65M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，D
STB28NM50N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh
STB300NH02L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFET TM Power MOSFET

与STB26NM60N相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证