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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB26NM60N
STB26NM60N PDF预览

STB26NM60N

更新时间： 2024-11-02 12:26:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
23页 1142K
描述
N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages

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STB26NM60N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：17 weeks
风险等级：1.68雪崩能效等级（Eas）：610 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.165 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB26NM60N 数据手册

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STB26NM60N, STF26NM60N, STI26NM60N  
STP26NM60N, STW26NM60N  
N-channel 600 V, 0.135 Ω typ., 20 A MDmesh™ II Power MOSFET  
in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages  
Datasheet — production data  
TAB  
Features  
TAB  
RDS(on)  
max  
Type  
VDSS  
ID  
3
3
3
2
2
1
2
1
STB26NM60N  
STF26NM60N  
STI26NM60N  
STP26NM60N  
STW26NM60N  
600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
600 V  
< 0.165 Ω  
< 0.165 Ω  
< 0.165 Ω  
< 0.165 Ω  
< 0.165 Ω  
20 A  
20 A  
20 A  
20 A  
20 A  
1
TO-220  
TO-220FP  
I²PAK  
TAB  
3
3
2
1
■ 100% avalanche tested  
1
D²PAK  
■ Low input capacitance and gate charge  
■ Low gate input resistance  
TO-247  
Application  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
■ Switching applications  
$ꢄ4!"ꢅ ꢆꢇ  
Description  
These devices are N-channel Power MOSFETs  
developed using the second generation of  
MDmesh™ technology. This revolutionary Power  
MOSFET applies a new vertical structure to the  
company’s strip layout to yield a device with one  
of the world’s lowest on-resistance and gate  
charge, making it suitable for the most demanding  
high-efficiency converters.  
'ꢄꢂꢇ  
3ꢄꢈꢇ  
3#ꢀꢁꢂꢃꢀ  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
D²PAK  
Packaging  
STB26NM60N  
STF26NM60N  
STI26NM60N  
STP26NM60N  
Tape and reel  
TO-220FP  
I²PAK  
26NM60N  
Tube  
TO-220  
TO-247  
STW26NM60N  
June 2012  
Doc ID 15642 Rev 5  
1/23  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
23  
1234567...23

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STB26NM60N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB23NM60N STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2
STB23NM60ND STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK -
STB25NM60ND STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 600 V - 0.13 Ω - 21 A FDmesh™ II Po

与STB26NM60N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB270N04 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 40V - 2.1m-ohm - 160A - TO-220 - D-2PAK - I-2PAK STripFET-TM Power MOSFET
STB270N04-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 40V - 2.1m-ohm - 160A - TO-220 - D-2PAK - I-2PAK STripFET-TM Power MOSFET
STB270N4F3 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 40V - 2.1m ohm - 160A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFE TM Power MOSFET
STB270N4F3_08 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 40 V - 2.1 mΩ - 160 A - TO-220 - D2
STB270N4F3_09 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 40 V, 1.6 mΩ, 160 A, D2PAK, I2PAK S
STB28N60DM2 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、0.13 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET，
STB28N60M2 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET，
STB28N65M2 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，D
STB28NM50N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh
STB300NH02L STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFET TM Power MOSFET

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