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SI9926ADY

更新时间： 2024-09-09 22:33:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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SI9926ADY 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.71Is Samacsys：N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.8 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：150 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SI9926ADY 数据手册

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Si9926ADY  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.030 @ V = 4.5 V  
6
5
GS  
20  
0.040 @ V = 2.5 V  
GS  
D
1
D
2
SO-8  
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
G
G
2
1
G
S
1
S
2
Top View  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
DS  
GS  
V
V
"12  
T
= 25_C  
= 70_C  
6
5
4.8  
3.8  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
30  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.7  
2.0  
1.3  
1.0  
1.25  
0.8  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
50  
80  
30  
62.5  
100  
40  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71633  
S-04055—Rev. A, 25-Jun-01  
www.vishay.com  
1
1234

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SI9926ADY 替代型号

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