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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4618DY-T1-GE3
SI4618DY-T1-GE3 PDF预览

SI4618DY-T1-GE3

更新时间： 2024-02-11 03:54:32
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体肖特基二极管小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
15页 276K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SI4618DY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Samacsys Confidence：Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：603502Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Undefined or MiscellaneousSamacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：SOIC127P600X175-8NSamacsys Released Date：2017-01-12 11:18:21
Is Samacsys：N配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15.2 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.017 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：4.16 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4618DY-T1-GE3 数据手册

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Si4618DY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
ID (A)a  
8.0  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg and UIS Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
0.017 at VGS = 10 V  
0.0195 at VGS = 4.5 V  
0.010 at VGS = 10 V  
0.0115 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
Channel-1  
Channel-2  
30  
12.5  
7.5  
15.2  
14.1  
30  
17  
APPLICATIONS  
•
•
Notebook Logic dc-to-dc  
Low Current dc-to-dc  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
VSD (V)  
D
1
VDS (V)  
IF (A)a  
Diode Forward Voltage  
30  
0.43 V at 1.0 A  
3.8  
SO-8  
G
1
G
D
1
1
2
3
4
8
7
6
5
1
2
2
2
N-Channel 1  
MOSFET  
S
S
S /D  
1
S /D  
2
2
2
1
2
S /D  
1
S /D  
1
G
Schottky Diode  
G
2
Top View  
Ordering Information: Si4618DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
N-Channel 2  
MOSFET  
S
2
Si4618DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Channel-1  
Channel-2  
30  
16  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
16  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
8.0  
15.2  
12.1  
11.4b, c  
9.1b, c  
60  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
6.4  
6.7b, c  
5.4b, c  
35  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Source-Drain Current Diode Current  
A
TC = 25 °C  
1.8  
1.25b, c  
35  
3.8  
2.4b, c  
35  
T
A = 25 °C  
ISM  
IAS  
Pulsed Source-Drain Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
15  
15  
L = 0.1 mH  
EAS  
11.2  
1.98  
1.26  
1.38b, c  
0.88b, c  
11.2  
4.16  
2.66  
2.35b, c  
1.5b, c  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Channel-1  
Typ. Max.  
72 90  
51 63  
Channel-2  
Typ. Max.  
43 53  
25 30  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
RthJF  
t ≤ 10 s  
°C/W  
Steady State  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 125 °C/W (Channel-1) and 100 °C/W (Channel-2).  
Document Number: 74450  
S09-2109-Rev. B, 12-Oct-09  
www.vishay.com  
1
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SI4618DY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4916DY-T1-GE3 VISHAY

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 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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SI4622DY VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4626ADY-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 21.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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