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SI4632DY-T1-E3

更新时间： 2024-02-28 05:31:56
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 110K
描述
TRANSISTOR 27 A, 25 V, 0.0033 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SO-8, FET General Purpose Power

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SI4632DY-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.83
雪崩能效等级（Eas）：45 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：25 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.0033 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：7.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4632DY-T1-E3 数据手册

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Si4632DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)a  
36  
Qg (Typ.)  
Definition  
0.0027 at VGS = 10 V  
0.0033 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
•
Low Qgd  
100 % Rg Tested  
UIS and Capacitance Tested  
25  
49 nC  
29  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
Synchronous Buck - Low Side  
- Notebook  
SO-8  
- Server  
D
- Workstation  
S
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
•
Synchronous Rectifier - POL  
S
S
G
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4632DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4632DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
25  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
V
16  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
40  
T
32  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
27b, c  
21b, c  
70  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
7.0  
3.0b, c  
30  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
IAS  
EAS  
45  
mJ  
W
7.8  
T
C = 70 °C  
5.0  
Maximum Power Dissipation  
PD  
3.5b, c  
2.2b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
29  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
t ≤ 5 s  
Steady  
35  
16  
°C/W  
RthJF  
13  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1” x 1” FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 125 °C/W.  
Document Number: 73786  
S11-0209-Rev. C,14-Feb-11  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4632DY-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal
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