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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 21.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0035 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 70 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4652DY-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal |
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| SI4654DY | VISHAY |
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N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
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| SI4654DY-T1-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 18.6A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SI4654DY-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 18.6A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SI4660DY-T1-GE3 | VISHAY |
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Trans MOSFET N-CH 25V 17.2A 8-Pin SOIC N T/R |
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| SI4662DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal |
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| SI4666DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET |
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| SI4666DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET |
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| SI4668DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| SI4670DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
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