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SI4670DY-T1-GE3 PDF预览

SI4670DY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-28 09:26:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
15页 276K
描述
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SI4670DY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.023 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4670DY-T1-GE3 数据手册

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Si4670DY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
ID (A)a, e  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
0.023 at VGS = 10 V  
0.028 at VGS = 4.5 V  
0.023 at VGS = 10 V  
0.028 at VGS = 4.5 V  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
PWM Optimized  
Channel-1  
Channel-2  
25  
5.5  
25  
5.5  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Synchronous Buck Converter  
VSD (V)  
Diode Forward Voltage  
VDS (V)  
IF (A)a  
Game Machine  
Notebook  
25  
0.43 V at 1.0 A  
2.3  
SO-8  
D
2
D
1
S /D  
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
1
2
1
1
G
1
2
2
S
S /D  
1
2
2
Schottky Diode  
G
1
G
G
S /D  
1
2
Top View  
Ordering Information: Si4670DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
S
2
S
1
N-Channel MOSFET  
Si4670DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Channel-1  
25  
16  
Channel-2  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
25  
V
VGS  
16  
8.0e  
7
7b, c  
5.6b, c  
30  
8.0e  
7
7b, c  
5.6b, c  
30  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
T
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Source-Drain Current Diode Current  
TC = 25 °C  
2.3  
2.3  
1.5b, c  
2.8  
1.5b, c  
2.8  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
1.8  
1.8  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
1.8b, c  
1.1b, c  
1.8b, c  
1.1b, c  
T
A = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Channel-1  
Typ. Max.  
57 70  
36 44  
Channel-2  
Typ. Max.  
57 70  
36 44  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Symbol  
RthJA  
Unit  
t ≤ 10 s  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W (Channel-1 and Channel-2).  
e. Package limited.  
Document Number: 69595  
S09-2109-Rev. C, 12-Oct-09  
www.vishay.com  
1
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