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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4686DY-T1-E3
SI4686DY-T1-E3 PDF预览

SI4686DY-T1-E3

更新时间： 2024-11-02 12:46:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 240K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4686DY-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：7
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：18.2 A
最大漏极电流 (ID)：13.8 A最大漏源导通电阻：0.0095 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：5.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4686DY-T1-E3 数据手册

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Si4686DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
I
D (A)a  
18.2  
15  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
Available  
0.0095 at VGS = 10 V  
0.014 at VGS = 4.5 V  
•
Extremely Low Qgd WFET® Technology  
for Low Switching Losses  
30  
9.2 nC  
•
•
TrenchFET® Power MOSFETs  
100 % Rg Tested  
SO-8  
APPLICATIONS  
D
S
S
S
G
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
•
High-Side DC/DC Conversion  
- Notebook  
- Server  
D
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4686DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4686DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
18.2  
14.5  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
13.8b, c  
TA = 25 °C  
11b, c  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
50  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
4.3  
Continuous Source-Drain Diode Current  
2.5b, c  
10  
IAS  
Single-Pulse Avalanche Current  
Single-Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
EAS  
5
mJ  
W
5.2  
3.3  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
3.0b, c  
T
1.9b, c  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Symbol  
Typical  
35  
Maximum  
Unit  
RthJA  
t ≤ 10 s  
42  
24  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
20  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 80 °C/W.  
Document Number: 73422  
S09-0228-Rev. B, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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SI4686DY-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4686DY-T1-GE3 VISHAY

完全替代

 MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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