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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.3 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 20 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 16 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0094 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | PURE MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4685 | SILICON |
获取价格 |
EVALUATION BOARD TEST PROCEDURE |
|
| Si4686DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4686DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4686DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC |
|
| SI4688 | SILICON |
获取价格 |
EVALUATION BOARD TEST PROCEDURE |
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| SI4688-A10-GD | SILICON |
获取价格 |
Consumer Circuit, CMOS, PBGA62, WLCSP-62 |
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| SI4688-A10-GDR | SILICON |
获取价格 |
Consumer Circuit, CMOS, PBGA62, 3.70 X 3.20 MM, LEAD FREE, WLCSP-62 |
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| SI4688-A10-GM | SILICON |
获取价格 |
Consumer Circuit, CMOS, QFN-48 |
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| Si4688-A10-Gx | SILICON |
获取价格 |
Silicon Labs is updating the Si4682/4/8 datasheets |
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| SI4688DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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